SI4974DY-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deutsch
Artikelnummer: | SI4974DY-T1-E3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 8A, 10V |
Leistung - max | 1.1W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andere Namen | SI4974DY-T1-E3TR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A, 4.4A 1.1W Surface Mount 8-SO |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A, 4.4A |
Basisteilenummer | SI4974 |
SI4974DY-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] | SI4974DY-T1-E3 PDF - EN.pdf |
SI4976DY VISHAY
MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC
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2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI4974DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Zielpreis (USD)
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